p沟道mos管-100a -40v,KPX3204B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-15
KPX3204B场效应管接纳进步前辈的高单位密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典范值）；超低栅极电荷，高效力低消耗，100%EAS保障、CdV/dt效应明显降落、绿色装备可用，靠得住不变；封装情势：TO-252。
漏源电压：-40V
漏极电流：-100A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.2mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：-300A
雪崩能量单脉冲：361MJ
总功耗：83W
总栅极电荷：148nC
输入电容：6760PF
输入电容：650PF
守旧提早时候：15nS
关断提早时候：70nS
回升时候：16ns
降落时候：30ns
接洽体例：邹师长教师
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