nce30p30k,30A 30V场效应管,KIA30N03B参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-11
KIA30N03B接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺，机能超卓，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15mΩ@VDS=30V，减小消耗；具备超卓的Cdv/dt效应降落、100%EAS保障、绿色装备可用，靠得住不变；普遍利用于同步降压转换器、DC-DC电源体系、负载开关中，封装情势：TO-251、TO-252。KIA30N03B能够代换新洁能nce30p30k。
漏源电压：30V
漏极电流：30A
漏源通态电阻(RDS(on))：15mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：60A
雪崩能量单脉冲：72MJ
总功耗：25W
输入电容：572PF
输入电容：81PF
总栅极电荷：7.2nC
守旧提早时候：4.1nS
关断提早时候：15.5nS
回升时候：9.8ns
降落时候：6.0ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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