机电驱动mos管,27A 800V TO264,KNK7880A参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-11
机电驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关消耗；该器件接纳进步前辈立体工艺，高效力低消耗；坚忍的多晶硅栅极布局，靠得住不变，合用于BLDC机电驱动器、电焊机、高效开关电源、电源分流器、电箱等产物。封装情势：TO-264。
漏源电压：800V
漏极电流：27A
漏源通态电阻(RDS(on))：280mΩ
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：108A
雪崩能量单脉冲：4200MJ
总功耗：650W
总栅极电荷：185nC
输入电容：7280PF
输入电容：660PF
守旧提早时候：56nS
关断提早时候：82nS
回升时候：105ns
降落时候：96ns
接洽体例：邹师长教师
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