dcdcmos管选型,40n20场效应管参数,代换,KIA40N20A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-08
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具备疾速切换、低电阻、低栅极电荷特征，合适RoHS，高效力低消耗、不变靠得住，合用于DC-DC转换器、UPS DC-AC转换器、开关电源和机电节制，还能够用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器。封装情势：TO-220、TO-3P。
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
泄电留连续：40A
脉冲漏极电流：120A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：175W
热电阻：62.5/W
漏源击穿电压：200V
温度系数：0.2/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1560 PF
输入电容：370 PF
回升时候：32 ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
