fhp100n07参数代换,KNP2906B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-03
KNP2906B可以或许代换飞虹fhp100n07场效应管停止利用，KNP2906B接纳KIA的进步前辈手艺出产，使MOS管具备更好的特征，包含疾速开关时候、低导通电阻、低栅极电荷和出格优良的雪崩特征。
KNP2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，其RDS（开）典范值为4.6mΩ@VGS=10V，低栅极电荷（典范值为148nC），具备高坚忍性和100％的雪崩测试，不变靠得住；还具备改良的dv/dt才能，合用于同步整流、锂电池掩护板和逆变器等多种利用处景，可以或许有用减小功率消耗和进步全体效力。
漏源电压：60V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：580A
雪崩能量单脉冲：506MJ
总功耗：195.3W
总栅极电荷：148nC
输入电容：6564PF
输入电容：553PF
守旧提早时候：35nS
关断提早时候：135nS
回升时候：78ns
降落时候：60ns
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