7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-06-27
KNH7150A场效应管接纳专有新立体手艺，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具备低栅极电荷最小化开关消耗、快规复体二极管，是一款机能超卓的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源利用中表现超卓，可与20N50场效应管代换利用，封装情势：TO-3P。
漏源电压：20V
漏极电流：500A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.24Ω
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：1500MJ
总功耗：275W
总栅极电荷：65nC
输入电容：2650pF
输入电容：255pF
反向转移电容：34pF
守旧提早时候：34nS
关断提早时候：164nS
回升时候：76ns
降落时候：85ns
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