反激式开关电源,rcd接收电路任务道理-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-06-25
反激开关电源在MOS管关断时，变压器低级绕组漏感存储的能量没法向次级绕组通报，低级绕组的漏感和MOS管的寄生电容发生了谐振电压波形。
这个谐振电压尖峰与次级绕组反射电压、电源输出电压叠加在一路，加载到MOS管的DS两头。如加载电压跨越MOS管的耐压，则MOS管破坏。如加载电压在MOS管耐压之下，但接近MOS管耐压最大值，则影响MOS管利用寿命。
RCD接收电路的感化便是按捺谐振电压尖峰，为MOS管耐压留出最少20%的电压余量，防止MOS管破坏或影响MOS管利用寿命。别的，RCD接收电路按捺了谐振电压振荡，对EMI有益。
RCD接收电路任务道理
用于接收MOS管电压尖峰的电路另有其余电路情势，但在开关电源中RCD接收电路是最常用的。RCD接收电路由二极管D，电阻R，电容C构成，其电路布局以下图所示。
连系道理图，疏忽二极管D的正向导通压降。当MOS关断时，谐振电压波形在B点发生电压尖峰，此时UB高于UA（初始时辰电容C两头无电压差），则UB经由进程二极管D向电容C充电。Uds电压下降的实质是低级绕组漏感瞬变电流感应发生的电压（低级绕组漏感存储的磁能）向MOS管的寄生电容Coss停止充电，寄生电容Coss两头电荷堆集，电压差增大。
当二极管D导通，因为电容C比MOS管的寄生电容大很多，以是电容C会分掉大局部电流（这局部电流原来是向寄生电容Coss充电的），使得寄生电容Coss充电进程变得迟缓，以是说电容C会按捺Uds电压尖峰。同时电阻R耗损低级绕组漏感存储的能量，使得谐振波形尽快趋于安稳。
在MOS管关断的时候内，钳位电容很快充电到达设定的钳位电压，谐振电压尖峰低于钳位电压（当谐振电压UB波形起头降落到低于UA时，并一向坚持UB低于UA，UB逐步回落至Uin+Ur），以后钳位二极管停止，钳位电容C经由进程钳位电阻R以热能的情势开释能量。
须要注重的是，须要限定电阻R放电的速率（象征着电阻阻值不能选得太小），保障钳位电压不会低于反射电压，不然UB大于UA（此时UB=Uin+Ur，UA=Uin+Uclamp，Uclamp受电阻放电影响是逐步减小的），则钳位二极管导通，钳位电阻起头耗损本来要向次级绕组通报的能量，如许会下降电源效力。经由进程这类体例，在MOS管关断时，RCD接收电路接收低级绕组漏感在MOS管守旧时辰存储的能量，限定Uds不得跨越UA。
为了防止上一周期钳位电容C存储的能量影响下一个周期钳位举措，请求鄙人一次MOS导通之前，电阻R将钳位电容C上的能量开释全数开释掉。若是不电阻R，则在每一个周期漏感都将对电容C停止充电，使得电容C两头电压不时下降，直至MOS管或电容蒙受不住高电压而破坏。普通地，请求MOS管开关周期T=（2~4）×RC。
下图为开关电源增添RCD电路前后MOS管Uds测试波形对照，左图为加RCD之前电路的测试成果，右图为为加RCD以后电路的测试成果：
红：MOS管Uds电压，蓝：MOS管耐压Uds max
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