无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-06-24
无线充公用MOS管KNB2915A接纳进步前辈的沟槽手艺，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典范值）@VGS=10V，具备极低导通电阻RDS（on）和优良的Qg x RDS（ON）产物（FOM），合适JEDEC规范，可以或许婚配ncep15t14参数代换利用，KNB2915A封装情势：TO-263，在机电节制和驱动、电池办理、UPS（不中断电源）都能揭示出优良的机能。
漏源电压：150V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：10mΩ
栅源电压：±25V
脉冲泄电流：500A
雪崩能量单脉冲：272MJ
总功耗：428W
总栅极电荷：70nC
输入电容：3560PF
输入电容：330PF
守旧提早时候：18nS
关断提早时候：35nS
回升时候：92ns
降落时候：70ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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