反激式开关电源波形,mos管vds波形阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-06-21
反激拓扑电路的根基线路以下：
DC IN：市电颠末整流滤波后的直流输出
Drive：节制芯片的驱动旌旗灯号，节制Q1停止ON/OFF
CS：节制芯片对Q1电流的采样
AGND：低级侧的地
DC OUT：输出
GND：次级侧的地
DCM（断续）与CCM（持续）任务形式
（1）DCM与CCM形式的判定按照
DCM和CCM的判定，并非只是纯真按照低级电流是不是持续来停止判定，而是要按照初，次级的电流分解来判定的。只需初，次级电流不是同时为零，那便是CCM形式。二若是存在初，次级电流同时为零的状况，那便是DCM形式。若是是介于二者之间的，便是BCM形式。
（2）两种形式在波形上的区分
A.变压器低级电流波形，DCM形式是三角波而CCM形式是梯形波。
B.次级整流管电流波形，同理，DCM形式是三角波而CCM形式是梯形波。
C.MOS管的Vds波形，DCM形式下，鄙人一个周期守旧前，Vds会从Vin+Vf这个平台降上去发生阻尼震动（Vf次级反射到原边的电压）；CCM形式下，鄙人一个周期守旧前，Vds一向保持在Vin+Vf的平台上。
是以能够很轻易从波形上看出来还击电源是任务在DCM仍是CCM状况。
MOS管守旧与关断刹时的Vds波形阐发
（1）DCM形式
A. 从下面MOS管的波形能够看出，在MOS关断时，MOS上的尖峰电压远跨越Vin+Vf， 这是因为变压器的低级有漏感Lk，漏感的能量是不会经由进程磁芯耦合到次级的。
MOS在关断的进程中，漏感的电流也是不能渐变的，而漏感的电流变更也会发生感到电动势， 这个感到电动势因为没法被次级耦合嵌位，以是电压会冲得很高。
为了防止MOS管被这个尖峰电压击穿破坏，普通设想时会在低级侧加上一个RCD接收缓冲电路，把漏感的能量先存储在电容(C)上，而后在经由进程电阻(R)耗损掉。
B. 当变压器次级电流降到零时，磁芯的能量已完整开释了。那末因为次级整流管电流 降到了零，二极管也就主动停止了，次级相称于开路状况，输出电压不在发射到低级。
因为此时的MOS管上Vds电压高于输出电压Vin，以是在电压差的感化下，MOS管的 结电容和低级点感发生谐振。谐振电流给MOS管的结电容放电。
Vds电压起头降落， 颠末1/4个谐振周期后又起头回升。因为RCD嵌位电路和其余寄生电阻的存在，这 个振荡时个阻尼振荡，幅度会愈来愈小。
（2）CCM形式
在CCM形式下，MOS管关断的尖峰与DCM中发生的道理是一样的，只是少了前面的振荡罢了。
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