功放场效应管,功放MOS管,6165场效应管参数材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-06-04
KNF6165B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，合适RoHS规范，合用于声响功放、适配器、充电器和SMPS备用电源等多种利用处景，RDS（ON）典范值为0.75Ω，在VGS为10V时机能超卓，低栅极电荷的最小化设想有用降落开关时的消耗，装备疾速规复体二极管，在电路切换时可以或许加倍不变靠得住。6165场效应管不只在功率缩小和电源办理方面表现超卓，并且在节能和不变性方面也具有超卓的机能表现，在家庭声响体系、产业装备的电源节制中都能阐扬主要感化，为电路的高效运转供给不变靠得住的撑持。
漏源电压：650V
漏极电流：10A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.75Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：40A
雪崩能量单脉冲：800MJ
总功耗：125/45W
总栅极电荷：30nC
输入电容：1650PF
输入电容：125PF
守旧提早时候：10nS
关断提早时候：41nS
回升时候：15ns
降落时候：16ns
接洽体例：邹师长教师
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