MOS管驱动电路分享,加快MOS管关断-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-05-29
在利用MOSFET设想开关电源时，除斟酌MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。作为一个好的设想计划，更详尽的，MOSFET还应斟酌自身寄生的参数。对一个肯定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输入的峰值电流，回升速度等，城市影响MOSFET的开关机能。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点请求：
1、开关管守旧刹时，驱动电路应能供给充足大的充电电流使MOSFET栅源极间电压敏捷回升到所需值，保障开关管能疾速守旧且不存在回升沿的高频振荡。
2、开关导通时代驱动电路能保障MOSFET栅源极间电压坚持不变且靠得住导通。
3、关断刹时驱动电路能供给一个尽能够低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的疾速泄放，保障开关管能疾速关断。
4、驱动电路布局简略靠得住、消耗小。
5、按照环境施加断绝。
驱动电路加快MOS管关断时候
图 加快MOS关断
关断刹时驱动电路能供给一个尽能够低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压疾速泄放，保障开关管能疾速关断。为使栅源极间电容电压的疾速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图所示，此中D1常常利用的是快规复二极管。这使关断时候减小，同时减小关断时的消耗。Rg2是避免关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
图 改良型加快MOS关断
用三极管来泄放栅源极间电容电压是比拟罕见的。若是Q1的发射极不电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，到达最短时候内把电荷放完，最大限制减小关断时的穿插消耗。与1图拓扑比拟拟，另有一个益处，便是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不颠末电源IC，进步了靠得住性。
驱动电路加快MOS管关断时候
为了知足如图所示高端MOS管的驱动，常常会接纳变压器驱动，偶然为了知足宁静断绝也利用变压器驱动。此中R1目标是按捺PCB板上寄生的电感与C1构成LC振荡，C1的目标是离隔直流，经由过程交换，同时也能避免磁芯饱和。
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