mos管电容计较公式,mos管电容计较详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-05-23
1、直流电容的计较：MOS电容的容量能够经由过程利用两个公式来计较，即C=εoA/d，此中C为电容值，εo为真空介电常数，A为极板的面积，d为极板之间的间隔。
2、交换电容的计较：MOS电容的交换电容能够利用别的一个公式来计较，即Xc=1/（2πfC），此中Xc是电容的因数，f为频次，C为电容值。
1.总寄生电容计较
2.Cox计较
比方：栅电容Cgg=Cox*W*L，W和L咱们能够间接从器件参数获得，接上去咱们须要晓得MOS管的Cox详细值
（1）介电常数：
它是表现绝缘才能特征的一个系数，标记为ε，单元为F/m（法/米）
（2）绝对介电常数：
某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值，称为该电介质的绝对介电常数，标记为εr，即εr=ε/ε0，εr是无穷纲的纯数，此中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m，SIO2的绝对介电常数为εr=3.9，以是SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
（3）Cox计较
Cox是介质的介电常数ε与tox的比值，tox能够在工艺model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工艺为例：
在model文件中能够查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介电常数ε=3.9×8.854E-12F/m，
Coxn=ε/toxn=3fF/um2；
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
3.CGB、CGS和CGD电容
在饱和区，电路中的最高电容是 CGS。晶体管栅极的输出电容即是CGG≈CGS，与栅泄电容 CGD 比拟，CGS 比CGD大了一个2/3(WLCox)。在停止区时，CGB=WLCox，在饱和、线性区为0。
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