4953场效应管参数,4953参数引脚图,PmosKIA4953-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-05-20
KIA4953双P沟道MOSFET是KIA进步前辈的P沟道工艺的一个坚忍的栅极版本，针对须要大规模给定驱动电压的电源办理利用停止了优化。额外值（4.5 V–20 V）。KIA4953场效应管封装情势：SOP-8。
KIA4953场效应管具备超卓机能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优良的电气特征；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ，显现出在差别任务前提下的电阻特征。
4953场效应管具备高压充放电的特色，典范值为6Nc，在电路中完成更快的呼应速率，还具备高功率和电流的才能，可以或许知足对高机能的需要，合适在各类请求严酷的场所利用，和疾速切换速率，可以或许有用进步电路的呼应速率和效力，为电路设想和利用供给了靠得住的保证。
漏源电压：-30V
漏极电流：-5.3A
漏源通态电阻(RDS(on))：54mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：-20A
总功耗：2W
总栅极电荷：6.0nC
输入电容：525PF
输入电容：130PF
守旧提早时候：7nS
关断提早时候：14nS
回升时候：13ns
降落时候：9ns
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