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mos管短路掩护电路图文分享-KIAMOS管

信息来历:本站 日期:2024-05-17 

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mos管短路掩护电路图文分享-KIAMOS管


高压MOS/IGBT的短路掩护电路

mos管短路掩护电路

带短路掩护锁定的驱动的3脚为短路旌旗灯号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输入。


当电路存在短路的时辰流过MOS的电流很大在S极电阻两头发生的压降致使三极管由停止进入导通(固然导到甚么水平详细跟MOS的跨导有关系),是以驱动电阻下面有压降,MOS进入缩小区。


这个时辰高电压不会经由过程MOS停止强电流放电,因此芯片不会有局部过热的能够,在很短的时辰内掩护电路检测到短路存在封闭并锁定驱动电压输入,MOS仅蒙受了举措时辰内的恒流功率消耗,宁静性获得了很大进步。


此电路仅作为懂得道理利用详细参数看现实工况拔取。


S级的电阻是按照选定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)选定的,至于跨导这个不是首要因数;


这里三极管并不任务在开关状况他只是按照MOS的瞬态电流值调剂MOS的驱动电压,保障在短路呈现的时辰IDM不至于超越宁静任务规模,这个时辰因为在1US乃至更短的时辰内驱动已被关断并锁定,以是不存在过功消耗,三极管的反应时辰越快越好,实在这个电路是电流负反应电路演化过去的,电路以下:

mos管短路掩护电路


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