mos管的搀杂浓度,mos管搀杂范例-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-05-14
MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体布局的场效应晶体管，由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体衬底构成。
此中，半导体衬底上构成了一个N型或P型沟道地区，该地区被氧化物绝缘层断绝，并经由过程金属栅极施加电场节制着沟道区的导通和停止。
搀杂浓度对MOS管机能的影响
1.电阻率：与搀杂浓度成反比例干系；
2.阈值电压：与搀杂浓度成反比例干系；
3.泄电流：与搀杂浓度成指数函数干系；
4.迁徙率：与搀杂浓度显现抛物线形状。
N沟道MOS管的搀杂浓度
1.沟道区搀杂浓度：普通在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之间；
2.衬底搀杂浓度：普通在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之间；
3.靠近衬底外表的沟道区搀杂浓度：普通要比深处高，由于外表态的影响。
P沟道MOS管的搀杂浓度
1.沟道区搀杂浓度：普通在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之间；
2.衬底搀杂浓度：普通在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之间；
3.靠近衬底外表的沟道区搀杂浓度：一样要比深处高。
MOS管的搀杂范例首要分为P型和N型。
P型半导体是经由过程搀杂三价元素（如硼）构成的，此中空穴（多子）为首要载流子，是以P型半导体中空穴的浓度较高。P型半导体的特色是具备较高的空穴浓度，使其在电导性上表现为正电性。
N型半导体则是经由过程搀杂五价元素（如磷）构成的，此中电子（多子）为首要载流子，是以N型半导体中电子的浓度较高。N型半导体的特色是具备较高的电子浓度，使其在电导性上表现为负电性。
MOS管的工艺上为什么要用两层搀杂浓度差别的N型半导体来做N区？
图中的N+是衬底（Substrate） ，N+表现高浓度N型参杂，衬底是构建MOSFET的根本（近似于盖屋子的地基）。 N-为内涵层，N-表现低浓度参杂，在MOSFET停止时N-构成耗尽区，以保障MOSFET具备标称的耐压。N+与漏极的电极毗连，高浓度参杂以下降其电阻率。
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