mos管防反接电路图,防反接电路道理-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-05-13
长处：占空中积小，本钱低，压降小，可过大电流。
道理：PMOS、NMOS做反接掩护的道理都一样，以PMOS的电路为例。
PMOS：-电源极性一般接入时。Q2的寄生二极管导通，右边S极的电压为（24-0.7）=23.3V。
G极电压为R9、R10的分压24x（200/（100+200））=16V。
因而Q2的Vgs=16-23.3=-7.3V。
大于AO3401的门极导通阀限电压-1.3V，MOS管DS极导通。
MOS导通后，MOS的寄生二极管被DS短路。
此时的压降Vds仅即是MOS-DS极内阻x电流，Q2热功耗很小。
-电源反接时，Q2的寄生二极管关断，DS极须要蒙受电压。
设想要点：R9、R10的取值，要保障不会超越最大Vgs电压规模，并且留有必然宁静余量。
MOS管的选型，要斟酌Vds、Vgs、DS极导通电阻（Rds-on）、DS极电流。
MOS尽可能利用Rds-on小的型号。
P-MOS反接掩护电路：
图中R9、R10为分压感化。使P-MOS的Vgs，不会跨越±12V的最大Vgs电压规模，并且留有必然宁静余量。
N-MOS反接掩护电路：
图中R9、R10为分压感化。使N-MOS的Vgs，不会跨越±12V的最大Vgs电压规模，并且留有必然宁静余量。
利用“P型”MOS管的防电源反接电路。
利用MOS管完成的防电源反接电路，在电源准确接入时，电源一般对负载供电。在电源正负极反接时，断开负载电路，从而掩护负载。
电路阐发（以Vin = 5V为例）
1、电源准确接入时
电源一般接入，也便是电源不正负反接，此时电源一般对负载供电。
假定拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin能够经由过程MOS管的体二极管对负载停止供电。
体二极管的压降约为 5V - 4.3V = 0.7V。
现实上MOS管的g极是有电阻R1的，MOS管的g极经由过程电阻R1接到电源负极的GND。
在MOS管导通前，Vin的电压仍然经由过程MOS管体二极管串到Vout（也便是MOS管s极的电压）。
而当Vout从0回升到充足高时（常常不须要到4.3V），已有充足大的Vgs电压将MOS管翻开，终究各点的电压以下图。
此时Vgs= Vg - Vs = 0 - 5V = -5V。
2、电源正负极反接时
因为MOS管g极电压为5V --> 以是Vgs电压大于0 --> MOS管不导通，且体二极管也反向停止 --> 电流不能构成回路 --> 负载被掩护。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
