甚么是高边驱动？高边驱动电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-30
高边驱动：开关位于电源和负载之间。
高边驱动是指经由进程间接在用电器或驱动装配前经由进程在电源线闭合开关来完成驱动装配的使能。高边驱动抽象点说，像在电路的电源端加了一个可控开关。高边驱动便是节制这个开关的开关。
高边驱动简略懂得：负载的一端默许与电路的负级即地坚持毗连，负载的另外一端与开关毗连，当开关导通时，负载的另外一端与电源毗连，负载起头任务，当开关与关断时，负载的另外一端与电源断开，负载遏制任务。高边驱动（High Side Drivers），简称为HSD。
P沟道加强型MOS晶体管和N沟道加强型MOS晶体管都能够用作高边驱动，二者的布局和任务道理都有所差别。
PMOS管作高边驱动时，当VGS < VTH，NMOS管打启发通，此时Vo输出为高，能够驱动内部负载；当VGS > VTH，NMOS管封闭，此时Vo输出为低，输出端封闭。
当PMOS由翻开到封闭的进程中，理性负载会一向放电，从而在降落进程中呈现箝位。
图：PMOS作高边驱动
NMOS管作高边驱动时，当VGS < VTH，NMOS管封闭，此时Vo输出为低，输出端封闭；当VGS > VTH，NMOS管打启发通，此时Vo输出为高，能够驱动内部负载，而NMOS导通时，VS类似为UB，故而VG须大于UB（13V），这便须要一个Pump将输出真个电压进步，如图所示。
图：NMOS管作高边驱动
测试高边驱动时步骤根基和测试低边驱动不异，区分的是按照差别范例MOS管，其节制导通和关断的挨次不致。
PMOS管束作工艺庞杂，本钱较高；而NMOS管作高边驱动，为了有较高输出电压，还需额定增添一个Pump。
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