40n06场效应管参数,40n06参数,KIA40N06中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-26
KIA40N06B是机能最高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单位密度，可为大大都同步降压转换器利用供给超卓的RDSO和栅极电荷。KIA40N06B合适RoHS和GreeProduct的请求，100%EAS保障，并经由过程了全功效靠得住性认证。
KIA40N06B场效应管接纳进步前辈的高细胞密度沟槽手艺，具有超卓的机能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14m?，表现出超卓的导通才能、超低的栅极电荷，在Cdv/dt效应降落方面表现超卓、100%的EAS保障，在各种任务前提下都能不变靠得住、GreeDevice手艺的引入，进一步晋升了机能，合用于各种利用处景。
KIA40N06B场效应管合用于MB/NB/UMPC/VGA高频点负载同步降压变更器和联网DC-DC电源体系、LCD/LED背光等装备，为电子产物供给靠得住不变的电力撑持，40n06场效应管高效的能量转换才能，可以或许阐扬出杰出的机能，为产物的机能晋升和不变性供给了壮大的撑持。KIA40N06B场效应管封装情势：TO-251、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：38A
漏源通态电阻(RDS(on))：14mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：80A
雪崩能量单脉冲：67MJ
总功耗：45W
输入电容：2423PF
输入电容：145PF
总栅极电荷：17.6nC
守旧提早时候：15.5nS
关断提早时候：72.8nS
回升时候：2.2ns
降落时候：3.8ns
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