二极管伏安特征曲线特色图文阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-25
二级管的完全伏安特征如上图所示，申明以下：
（1） 在正偏时，当VD很小时，电流接几近为0。当VD增大到必然阈值后（图中为0.7V摆布），电流起头极快地以指数级增添（毫安级）。
（2） 在反偏时，反向饱和电流IS保持一个很小值（微安级），不随反偏电压变更。可是当反偏电压到达反向峰值电压PIV时，二极管反向击穿，反向电流缓慢增添。
下面的曲线也能够用公式来描写，称为肖克利方程：
各参数申明以下：
IS是反向饱和电流，普通经由过程查二极管的数据规格书获得，典范值在10-15~10-13A之间；
VD是偏置电压，正偏时为正，反偏时为负；
n为抱负因子，其值规模可取1~2，普通咱们取1；
VT为热电压，普通在常温下约为26mV。
固然肖克利方程供给了计较二极管电流值的体例，不过普通在现实中咱们不太会真用它去计较，由于按照二极管现实的伏安特征曲线和按照现实计较出的值有较大差异，以是普通咱们都因此二极管的数据规格书供给的现实数据和曲线为准。
正向特征(外加正向电压，上图中X坐标的正半局部)
当正向电压跨越某一数值后，二极管才有较着的正向电流，该电压值称为导通电压。
在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。大于导通电压的地区称为导通区。
当流过二极管的电流Ｉ比拟大时，二极管两头的电压几近保持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（凡是取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（凡是取0.2Ｖ）。
反向特征(外加正向电压，上图中X坐标的负半局部)
在反向电压小于反向击穿电压的规模内，由多数载流子构成的反向电流很小，并且与反向电压的巨细根基有关。 此局部为停止区。
由二极管的正向与反向特征可直观的看出：①二极管长短线性器件；②二极管具备单向导电性。
反向击穿特征
当反向电压增添到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这类景象叫做二极管的反向击穿。
温度影响：
温度下降时，正向压降减小，正向伏安特征左移。温度每下降1℃，二极管的正向压降减小2～2.5mV。
温度下降时，反向电流约莫增添一倍，反向伏安特征下移。温度每下降10℃，反向电流约莫增添一倍。
温度下降时，二极管的正偏导通阈值电压会下降，反偏电流会减小，反向击穿电压也减小。
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