30n03场效应管参数,30n03场效应管代换,30n03参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-24
漏源电压：30V
漏极电流：30A
漏源通态电阻(RDS(on))：15mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：60A
雪崩能量单脉冲：72MJ
总功耗：25W
输入电容：572PF
输入电容：81PF
总栅极电荷：7.2nC
守旧提早时候：4.1nS
关断提早时候：15.5nS
回升时候：9.8ns
降落时候：6.0ns
KIA30N03B是机能最高的沟槽N沟道MOSFET，具备极高的单位密度，可为大大都同步降压转换器利用供给超卓的RDSON和栅极电荷。KIA30N03B合适RoHS和绿色产物请求，100%EAS保证，全功效靠得住性取得核准。
KIA30N03B场效应管具备超卓的机能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，接纳进步前辈的高细胞密度沟槽手艺，具备超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15mΩ @ VDS=30V，较低的导通电阻，有用削减能量消耗，超卓的Cdv/dt效应降落，可以或许有用应答瞬态电压的变更，保证体系不变性。
KIA30N03B场效应管100%的EAS保证，为用户供给加倍靠得住的保证，合适绿色装备规范，在环保节能方面表现超卓，利用在同步降压变更器、DC-DC电源体系、负载开关时可以或许揭示出出色的机能，为装备的不变运转供给无力的撑持。30n03场效应管封装情势：TO-251、TO-252。
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