4820场效应管参数引脚图,200V 9A,KNX4820B中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-18
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，接纳了专有新型立体手艺，是一款高机能的器件，RDS（ON），典范=250mΩ@VGS=10V，保障了不变的任务状况、低栅极电荷的最小化设想，有用降落了开关消耗，晋升了能效、装备疾速规复体二极管，有用进步器件的呼应速率和不变性；这些进步前辈的手艺和设想让KNX4820B可以或许在各类利用处景下发挥超卓的机能，知足差别范畴的需要。
KNX4820B N沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。KNX4820B封装情势：TO-252、TO-251。
漏源电压：200V
漏极电流：9.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：250mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：36A
雪崩能量单脉冲：300MJ
最大功耗：83W
输入电容：418PF
输入电容：94PF
总栅极电荷：28nC
守旧提早时候：7.0nS
关断提早时候：20nS
回升时候：6.0ns
降落时候：6.0ns
接洽体例：邹师长教师
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