P30v mos管,30V PMOS管,高压MOS场效应管,国产厂家-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-16
KIA3409接纳进步前辈的沟槽手艺，供给超卓的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件合用于负载开关或PWM利用。标准产物KIA3409不含铅（合适ROHS和Sony 259标准）。
VDS(V)=-30V
ID=-2.6A
RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)
RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)
漏极电流 (ID) ：-5.0A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V
栅极电荷（Qg）：6.5 nC
功耗 (PDM) ：1.5W
RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 V
KPE4403A特色：
绿色装备可用
超低栅极电荷
超卓的Cdv/dt效应降落
进步前辈的高单位密度沟槽手艺
KPE4403A是高单位密度沟槽P沟道MOSFET，可为大大都同步降压转换器利用供给超卓的RDSON和栅极电荷。KNE4403A合适RoHS和绿色产物请求。
KIA半导体MOS管具有壮大的焦点合作力，是开关电源出产厂家的优良挑选。KIA半导体MOS管厂家首要研发、出产、运营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快规复二极管；普遍利用于逆变器、锂电池掩护板、电动车节制器、HID车灯、LED灯、无刷机电、矿机电源、产业电源、适配器、3D打印机等范畴；可请求收费送样和报价、手艺撑持办事。
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