P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252高压MOS管场效应管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-15
RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏极电流 (ID) ：-30A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：57W
栅极电荷（Qg）：40 nC
RDS(ON)=11.6mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏极电流 (ID) ：-60A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：90W
栅极电荷（Qg）：86 nC
封装情势：TO-252
接洽体例：邹师长教师
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