4665参数,4665场效应管,KNX4665B中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-11
KNX4665B场效应管具备高击穿电压、低导通电阻和低开关消耗等特色，漏源击穿电压高达650V，漏极电流7A，能够或许蒙受较大的电压压力、杰出的导电机能，RDS（ON）的典范值为1.1Ω，在VGS=10V时能够或许完成较低的导通电阻，具备较高的任务效力，还能够或许完成低栅极电荷最小化，有用降落开关消耗，晋升全体机能。
KNX4665B场效应管合适ROHS规范、还装备了疾速规复体二极管，能够有用削减反向规复时候，进步开关速率，降落消耗，出格合用于须要频仍开关的场所，如开关电源和LED驱动，为电子装备的不变运转供给靠得住保证。KNX4665B场效应管封装情势：TO-252、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.1Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：75/42W
输入电容：1048PF
输入电容：98PF
总栅极电荷：24nC
守旧提早时候：12nS
关断提早时候：34nS
回升时候：12ns
降落时候：14ns
KNX4665B沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等。
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