6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-08
KIA6N70H功率MOSFET接纳KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产，颠末出格定制，最大限制地削减导通电阻，供给出色的开关机能，可以或许蒙受高能脉冲的雪崩和换向情势。出格合用于高效开关情势电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典范16NC）、高耐用性、疾速切换和雪崩测试100%、具有进步dv/dt才能的特色，多种封装情势：TO-251、TO-252、TO-220F，便利利用。这些优异的特征使得KIA6N70H成为一款高机能的器件，可以或许在各类利用处景中阐扬主要感化，为电力体系的靠得住性和效力供给无力的撑持。
漏源电压：700V
漏极电流：5.8A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：20A
雪崩能量单脉冲：150MJ
最大功耗：95/48W
输入电容：650PF
输入电容：95PF
总栅极电荷：16nC
守旧提早时候：30nS
关断提早时候：80nS
回升时候：40ns
降落时候：40ns
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