2804场效应管参数,引脚图,150A 40V参数,KNX2804C-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-07
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，接纳进步前辈的沟槽MOS手艺，具备极低的导通电阻RDS（接通），可以或许完成高效的电路节制；2804场效应管RDS（ON）为3.0mΩ，在10V的VGS前提下表现出优良的机能，在机电节制、驱动体系、电池办理和不中断电源等范畴有着普遍的利用远景。
2804场效应管具备超卓的QgxRDS（on）产物（FOM），为电子装备供给了不变靠得住的撑持，在功耗节制、电力驱动、电气宁静范畴，都揭示出出色的机能和不变性，进步了电路的不变性和效力。KNX2804C封装情势：TO-220、TO-263。
漏源电压：40V
漏极电流：150A
漏源通态电阻(RDS(on))：3.0mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：320A
雪崩能量单脉冲：225MJ
最大功耗：230W
输入电容：5900PF
输入电容：690PF
总栅极电荷：120nC
守旧提早时候：28nS
关断提早时候：110nS
回升时候：68ns
降落时候：32ns
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