1n65场效应管,1n65参数引脚图,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-04-02
KIA1N65H N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速电源开关利用而设想的抱负挑选，在开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器和继电器驱动器等利用中都能阐扬超卓的机能。
1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3? @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC，供给高坚忍性和疾速切换才能、还具有指定的雪崩能量和改良的dv/dt才能，保障了在各类利用处景下的不变性和靠得住性。封装情势有TO-252、TO-251和TO-92，知足差别设想需要。KIA1N65H是一款机能优胜、合用普遍的MOSFET，可以或许在各类高压、高速电源开关利用中揭示超卓的表现。
漏源电压：650V
漏极电流：1A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
输入电容：120PF
输入电容：20PF
总栅极电荷：4.8nC
守旧提早时候：7nS
关断提早时候：13nS
回升时候：21ns
降落时候：27ns
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