1n60场效应管参数,1n60参数引脚图,1n60中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-29
KIA1N60H N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关利用设想的，在开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器及继电器驱动器中，这款MOSFET都能阐扬超卓的机能。
1n60具有1A的电流蒙受才能和高达600V的耐压才能，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω，确保不变靠得住的机能、低栅极电荷仅为5.0nC，在节制电荷时加倍高效、还具有高坚忍性、疾速切换才能、指定雪崩能量和改良的dv/dt才能，可以或许保障装备在高负荷下运转时仍坚持不变性和靠得住性。
漏源电压：600V
漏极电流：1A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
输入电容：120PF
输入电容：20PF
总栅极电荷：4.8nC
守旧提早时候：7nS
关断提早时候：13nS
回升时候：21ns
降落时候：27ns
接洽体例：邹师长教师
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