5610场效应管,5610参数管脚图,KNX5610A中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-28
KNX5610A是最高机能的沟道N沟道MOSFETS，具备极高的单位密度，为大大都同步降压转换器利用供给超卓的RDSON和栅极电荷。KNX5610A合适RoHS和绿色产物请求。
KNX5610A场效应管接纳高单位密度的进步前辈沟槽手艺，漏极电流7A，漏源击穿电压100V，RDS（ON）=98mΩ（典范值）@VGS=10V，具备优良的导通特征；超低栅极电荷，减小开关消耗；超卓的Cdv/dt效应设想，靠得住性高，在各类任务前提下都能不变地任务；合用于高频负载点同步降压变更器、DC-DC电力体系联网、负载开关等利用处景，是电子器件范畴中的一款高机能元件。
漏源电压：100V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：98mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：14A
最大功耗：22.7W
输入电容：1535PF
输入电容：60PF
总栅极电荷：26.2nC
守旧提早时候：4.2nS
关断提早时候：35.6nS
回升时候：8.2ns
降落时候：9.6ns
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