80n120参数,KSZ080N120A中文材料,充电桩MOS管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-27
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，TJ为25°C时到达典范值，具有低导通电阻和高阻断电压的特色；在低电容前提下能完成高速开关；具有壮大的雪崩强度，可利用于太阳能逆变器、开关形式电源、高压DC-DC转换器和电池充电器等范畴。
碳化硅MOS管KSZ080N120A的低导通电阻和高阻断电压特征，能够或许减小功率消耗，在高压转换和开关进程中的呼应速率快，能够或许完成高频次的高速开关，能够有用进步电路的效力和机能，使得电源体系在任务进程中加倍不变靠得住。
漏源电压：1200V
漏极电流：28A
漏源通态电阻(RDS(on))：80mΩ
栅源电压：-5/+20V
脉冲泄电流：60A
雪崩能量单脉冲：720MJ
最大功耗：166W
输入电容：2025PF
输入电容：71.9PF
总栅极电荷：86nC
守旧提早时候：22nS
关断提早时候：18nS
回升时候：62ns
降落时候：12ns
接洽体例：邹师长教师
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