40n120参数及代换,变频器MOS管KSZ040N120A参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-26
碳化硅MOS管KSZ040N120A具备60A 1200V的参数特征，RDS（ON）仅为40mΩ（典范值）在VGS=20V，TJ=25℃前提下，在高电压下可以或许具备较低的导通电阻，同时表现出优良的高速开关机能。40n120具备雪崩耐量，靠得住性高，合用于轨道交通、变频器、充电桩等范畴。
KSZ040N120A的设想斟酌了平行毗连和简略驱动的方便性，在现实工程中易于利用和节制，合适无卤素，合适RoHS规范，高电压蒙受才能，低电阻特征和不变靠得住的任务表现，可以或许在各类利用、情况中高效不变运转。
漏源电压：1200V
漏极电流：60A
漏源通态电阻(RDS(on))：40mΩ
栅源电压：-5/+18V
脉冲泄电流：100A
雪崩能量单脉冲：934MJ
最大功耗：375W
输入电容：3110PF
输入电容：185PF
总栅极电荷：148nC
守旧提早时候：23nS
关断提早时候：39nS
回升时候：47ns
降落时候：53ns
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