10N80E参数,10n80参数及代换,KIA10N80H参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-20
漏极电流（ID）：10A
漏极和源极电压（VDSS）：800V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω
耗散功率（PD）：42W
封装：TO-220F
KIA10N80H功率MOSFET是利用KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这类进步前辈手艺颠末出格定制，可最大限制地削减导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向形式下蒙受高能脉冲。这些器件很是合适高效开关形式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
KIA10N80H场效应管漏极电流可达10A，漏源击穿电压高达800V，在10V的VGS下，RDS（开）仅为0.85Ω，显现出优良的导通特征；低栅极电荷，仅为63nC，有益于减小开关进程中的功耗消耗；坚忍性强，靠得住性高，可以或许顺应各类严苛的任务情况；和具有疾速切换才能，使得在高频次操纵时仍能坚持不变靠得住的机能；指定的雪崩能量和改良的dv/dt才能，保障了在各类任务前提下都能不变靠得住地任务；ESD改良的才能在静电搅扰下仍能坚持一般功效，合用于各类利用处景，是电子器件范畴中的一款高机能元件。
漏源电压：800V
栅源电压：±25V
泄电留连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
热电阻：62.5℃/W
温度系数：0.8V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2230 PF
输入电容：135 PF
回升时候：35 ns
接洽体例：邹师长教师
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