7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-19
KIA7N80场效应管是一款机能超卓的电子器件，具有极高的靠得住性和不变性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，疾速切换，操纵高效，还具有高坚忍性，颠末100%雪崩测试，改良的DV/DT功效，进一步晋升了机能表现。
KIA7N80场效应管是一款非常值得相信的电子元件，大大晋升了电路的机能和不变性，为电子装备供给不变靠得住的撑持，合用于开关电源和LED驱动等范畴，7N80封装情势：TO-220、TO-220F，可代换仙童等品牌型号。
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
泄电留连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输入电容：120 PF
回升时候：100 ns
KIA7N80场效应管是利用进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这项进步前辈的手艺颠末特地定制，可最大限制地削减导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向形式下蒙受高能脉冲。这些装备很是合适高效开关形式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
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