开关电源MOS的生效缘由及防备办法-KIA MOS管

雪崩生效

雪崩生效（电压生效），也便是咱们常说的漏源间的BVdss电压跨越MOSFET的额外电压，并且跨越到达了必然的才能从而致使MOSFET生效。

雪崩生效：MOSFET在电源板上因为母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等体系电压叠加在MOSFET漏源之间，致使的一种生效形式。简而言之便是MOSFET漏源极的电压跨越其划定电压值并到达必然的能量限定而致使的一种罕见的生效形式。

下图为雪崩测试的等效道理图：

雪崩生效的防备措

雪崩生效归根结柢是电压生效，能够参考以下的体例来处置。

1.公道降额利用，今朝行业内的降额普通拔取80%-95%的降额，详细环境按照企业的保修条目及电路存眷点停止拔取。

2.公道的变压器反射电压。

3.公道的RCD及TVS接收电路设想。

4.大电流布线尽能够接纳粗、短的规划布局，尽能够削减布线寄生电感。

5.挑选公道的栅极电阻Rg。

6.在大功率电源中，能够按照须要恰当的插手RC减震或齐纳二极管停止接收。

SOA生效

SOA生效（电流生效），既超越MOSFET宁静任务区引发生效，分为Id超越器件规格生效和Id过大，消耗太高器件永劫间热堆集而致使的生效。

SOA生效是指电源在运转时非常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，形成刹时局部发烧而致使的粉碎形式。或是芯片与散热器及封装不能实时到达热均衡致使热堆集，延续的发烧使温度跨越氧化层限定而致使的热击穿形式。

对于SOA各个线的参数限定值能够参考下图：

1.受限于最大额外电流及脉冲电流

2.受限于最大节温下的RDSON。

3.受限于器件最大的耗散功率。

4.受限于最大单个脉冲电流。

5.击穿电压BVDSS限定区

电源上的MOSFET，只需保障能器件处于上面限定区的规模内，就可以有效的躲避因为MOSFET而致使的电源生效题目的发生。

SOA生效的防备办法：

1.确保在最差前提下，MOSFET的一切功率限定前提均在SOA限定线之内。

2.将OCP功效必然要做切确详尽。

在停止OCP点设想时，普通能够会取1.1-1.5倍电流余量的工程师占多数，而后就按照IC的掩护电压比方0.7V起头调试RSENSE电阻。有经历的人会将检测提早时候、CISS对OCP现实的影响斟酌在内。可是此时有个更值得存眷的参数，那便是MOSFET的Td(off)。它究竟有甚么影响呢，看上面FLYBACK电流波形图：

电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的回升时候，这段时候其实质便是IC在检测到过流旌旗灯号履行关断后，MOSFET自身也起头履行关断，可是因为器件自身的关断提早，是以电流会有个二次回升平台，若是二次回升平台过大，那末在变压器余量设想缺乏时，就极有能够发生磁饱和的一个电流打击或电流超器件规格的一个生效。

3.公道的热设想余量。

体二极管生效：在桥式、LLC等有效到体二极管停止续流的拓扑布局中，因为体二极管蒙受粉碎而致使的生效。

谐振生效：在并联利用的进程中，栅极及电路寄生参数致使震动引发的生效。

静电生效：在秋冬季候，因为人体及装备静电而致使的器件生效。

栅极电压生效：因为栅极蒙受非常电压尖峰，而致使栅极栅氧层生效。

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