3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-18
ID（最大漏源电流）：3.0A
V(BR)DSS（漏源击穿电压）：800V
RDS(ON)（漏源导通内阻）为4.8Ω
PD（最大耗散功率）：39W
VGS(th)（开启电压阈值）：3~5V
KIA3N80H场效应管机能优胜，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出壮大的功率蒙受才能；在开启状况下，静态电阻RDS为4.8Ω，在栅极电压为10V时具有不变的电气特征；低栅极电荷为13nC，确保了疾速的呼应速率；还具有高坚忍性，可以或许在卑劣情况下靠得住任务；和具有改良的dv/dt才能，可以或许有用降落开关时的搅扰。3n80合用于开关电源和LED驱动等范畴，为电子装备的不变运转供给了靠得住保证。
KIA3N80H N沟道加强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器、继电器驱动器。
漏源电压：800V
漏极电流：3.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：12A
雪崩能量单脉冲：320MJ
最大功耗：39W
输入电容：543PF
输入电容：54PF
总栅极电荷：13nC
守旧提早时候：15nS
关断提早时候：22.5nS
回升时候：43.5ns
降落时候：32ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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