12n65场效应管参数代换,12n65场效应管引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-15
KIA12N65H N沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。KIA12N65H场效应管漏极电流12A，漏源击穿电压650V，RDS（on）为0.63?，在VGS为10V时表现超卓、低栅极电荷，典范值为52nC，使得它在高频次下仍能表现不变、疾速切换才能在电路中可以或许敏捷呼应旌旗灯号变更，确保旌旗灯号传输的精确性、雪崩能量划定和改良的dv/dt才能加强了不变性及宁静性，保证电路运转的不变性。
KIA12N65H封装情势：TO-220F，合用于开关电源和LED驱动等场景，使其在各类利用中都可以或许阐扬超卓的结果。KIA12N65H场效应管不只在机能上有着超卓的表现，同时在不变性和宁静性方面也具有了极高的规范，可以或许知足各类庞杂电路的需要。
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
泄电留连续：12.0*A
脉冲漏极电流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850 PF
输入电容：180 PF
回升时候：90 ns
接洽体例：邹师长教师
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