6n65场效应管参数代换,6n65场效应管引脚图规格书-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-08
6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9Ω @ VGS=10V；具备低栅极电荷，典范值为16nC，为电路设想供给了更多的矫捷性；高坚忍性，可以或许或许在各类情况前提下靠得住任务，确保装备的不变性和靠得住性；和疾速切换才能，可以或许或许带来更高的效力和更快的呼应速率；指定雪崩能量，保障在高压下的靠得住性和不变性；改良的dv/dt才能使得它在高速开关利用中表现超卓，可以或许或许有用削减电路中的乐音和搅扰，可以或许保障其不变靠得住的机能。
KIA6N65H N沟道加强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器、继电器驱动器合用于多种电子利用范畴，封装情势：TO-252，可以或许或许替换其余品牌6n65型号。
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
泄电留连续：5.5A
脉冲漏极电流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
热电阻：50*（110）℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：620 PF
输入电容：65 PF
回升时候：45 ns
接洽体例：邹师长教师
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