雪崩二极管

第一种：雪崩破坏

假设在漏极-源极间外加超越器件额外VDSS的电涌电压，并且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值差别），并超越必然的能量后就爆发破坏的景象。在介质负载的开关运行断开时发生的回扫电压，或由漏磁电感发生的尖峰电压超越功率MOSFET的漏极额外耐压并进入击穿区而致使破坏的情势会引起雪崩破坏。典范电路：
雪崩二极管

第二种：器件发烧破坏

由超越宁静地区引起发烧而致使的。发烧的启事分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率启事：外加直流功率而致使的消耗引起的发烧
●导通电阻RDS(on)消耗（低温时RDS(on)增大，致使必然电流下，功耗增添）
●由泄电流IDSS引起的消耗（和其余消耗比拟极小）瞬态功率启事：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关消耗（接通、断开） *（与温度和任务频次是相干的）
●内置二极管的trr消耗（高低桥臂短路消耗）（与温度和任务频次是相干的）器件一般运行时不爆发的负载短路等引起的过电流，组成刹时局部发烧而致使破坏。
别的，因为热量不相配或开关频次太高使芯片不能一般散热时，延续的发烧使温度超越沟道温度致使热击穿的破坏。
雪崩二极管

第三种：内置二极管破坏

在DS端间组成的寄生二极管运行时，因为在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，致使此二极管破坏的情势。

雪崩二极管

第四种：由寄生振荡致使的破坏

此破坏体例在并联时出格轻易爆发在并联功率MOSFET时未拔出栅极电阻而间接跟尾时爆发的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg组成的谐振电路上爆发此寄生振荡。当谐振前提(ωL=1/ωC)建立时，在栅极-源极间外加远弘远于驱动电压Vgs(in)的振动电压，因为超越栅极-源极间额外电压致使栅极破坏，或接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压颠末栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠致使正向反映，因此能够会因为误举措引起振荡破坏。
雪崩二极管