机电MOS管,KNG3404D,KNG3404D场效应管参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-05
KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具备超卓的机能目标；RDS（ON）=4.4mΩ（典范值）@VGS=10V，极低的导通电阻，有助于降落功耗和晋升效力；还具备改良的dv/dt才能和低Crss，可以或许完成疾速切换，同时颠末100%雪崩测试，保障了其靠得住性；合用于PWM利用、电源办理和负载开关等场景。
KNG3404D场效应管是一款机能优胜的电子器件，封装情势：DFN3*3；不管是在须要高效力办理的范畴，仍是在请求不变靠得住的情况中，KNG3404D场效应管都能揭示出出色的表现，知足各类需要。
漏源电压：40V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：320A
雪崩能量单脉冲：104MJ
最大功耗：36.7W
输入电容：3045PF
输入电容：388PF
反向传输电容：234PF
守旧提早时候：6nS
关断提早时候：23nS
回升时候：17ns
降落时候：12ns
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