pmos电路,pmos开关电路,pmos电路图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-05
PMOS管开与关节制，现实是节制Vgs电压，以到达节制电源开关；
电路图（摹拟测试）以下：
Key闭合前：PMOS输出电压 16.441MV
Key闭合后：PMOS输出电压 5V
现实电路：Key开关是用MCU的GPIO取代来节制，MCU高电日常平凡3.3V，GPIO输出节制旌旗灯号时需利用三极管。
NMOS做高侧开关的机能比拟好，但由于要增添额定的栅极驱动IC，会使电路变得庞杂，本钱也会随之晋升。除开机电节制和电源转换的场所，普通对守旧速率、导通内阻、过电流才能 无详尽须要的话，PMOS无疑是做开关的较好挑选。
最近几年来跟着MOS工艺的进级，PMOS的参数仍是较NMOS差，但导通内阻<10m欧的PMOS型号愈来愈多了。PMOS做高侧开关的最大上风，是不用电荷泵驱动，简略便利，还下降本钱。
下图是PMOS做高侧开关的电路，CONTROL为节制旌旗灯号，电平规模为0~VCC。
CONTROL为0V时，Vgs<导通阀值，PMOS守旧，负载任务。
CONTROL为VCC时，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。
注重上图这里的输出旌旗灯号 CONTROL，其低电平要保障Vgs能使PMOS守旧;又要限定Vgs不能小于手册上的最小许可电压，以防止PMOS破坏。
但MCU或其余节制器的电平普通为牢固的3.3V / 5V，而电路的VCC却要在一个很大的规模内变化。这就致使若是利用I/O口间接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会破坏MCU的I/O口。
以是PMOS做高侧开关时，普通搭配一个小电流的NMOS或NPN管，来做驱动电平转换。
以下图，NMOS - Q3担任做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。
当 CONTROL 为0时，Q3关断，Q2的G极电平被拉高为VCC，Q2 - PMOS关断，负载停机。
当CONTROL 为1，Q3守旧，Q2的G极电平被拉低为0，Q2 Vgs<导通阀值，PMOS守旧，负载任务。
若是VCC电压很高，在PMOS守旧时，致使Vgs超越了手册中的Vgs许可规模，也会形成PMOS的破坏。
为了防止破坏PMOS的栅极，在下面的电路中，增加一个稳压管和电阻，来到达钳位的感化，使Vgs最小不低于-12V，以掩护Q2的栅极。
注重：VCC电压较高时，须要从头计较各电阻的热功耗，来肯定适合的封装，或变动阻值。
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