40n60参数代换,48n60场效应管参数,KCX9860A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-03-01
额定电流 (ID)：40A
额定电压 (VDSS)：600V
额定功率 (PD)：300W
典范导通电阻 (RDS(on))：0.09Ω
典范栅极驱动电压 (VGS(th))：3.0V
PD最大耗散功率：300W
ID最大漏源电流：40A
V(BR)DSS漏源击穿电压：600V
RDS(ON)Ω内阻：0.079Ω
VRDS(ON)ld通态电流：20A
VRDS(ON)栅极电压：10V
VGS(th)V开启电压：3~5V
KCX9860A是一款高压MOSFET，使用进步前辈的端接计划来供给加强的电压阻断才能，而不会跟着时候的推移而降落机能。另外，这类进步前辈的MOSFET设想用于在雪崩和换向情势下蒙受高能量。新的节能设想还供给了一个具备疾速规复时候的漏极到源极二极管。这些装备专为电源、转换器和PWM机电节制中的高电压、高速开关利用而设想，出格合用于二极管速率和整流宁静操纵地区相称主要的桥式电路，并为避免不测电压瞬变供给额定的宁静裕度。
KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具备坚忍的高压终端、指定雪崩能量、与团圆疾速规复二极管相称的源极到漏极规复时候、二极管用于桥式电路、低温下划定的IDSS和VDS（ON）、断绝装置孔削减了装置硬件等优良特征；KCX9860A封装情势：TO-220F、TO-247；可以或许替换英飞凌、ST品牌40n60、48n60型号场效应管停止利用。
漏极电流：47A
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：141A
雪崩能量单脉冲：720MJ
最大功耗：50/417W
输入电容：3100PF
输入电容：2410PF
守旧提早时候：46nS
关断提早时候：138nS
回升时候：120ns
降落时候：118ns
接洽体例：邹师长教师
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