8n60场效应管参数,8n60场效应管引脚图,8n60参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-28
KIA8N60是一种高压MOSFET，设想具备更好的特征，如疾速开关时候、低栅极电荷、低导通状况电阻，并具备高的高卑雪崩特征。8N60凡是用于电源、PWM机电节制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关利用。
KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，使其在高压情况下发挥不变而壮大的感化，其RDS（开）值仅为0.98Ω，在输入电压为10V时表现凸起，具备杰出的导通机能；超低栅极电荷仅为29nC，揭示出疾速切换的才能，使其在开关电源、LED驱动范畴有着普遍的利用远景。KIA8N60可以或许替换仙童、UTC等品牌8N60型号场效应管停止利用，封装情势： TO-220、220F。
KIA8N60场效应管颠末雪崩能量测试，揭示出了超卓的不变性和靠得住性，合用于各类卑劣情况前提下的任务。其改良的dv/dt才能为其在高速切换进程中供给了保证，使其可以或许不变而高效地任务，为装备的高效运转供给强无力的撑持。
漏源电压：600V
漏极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：30A
最大功耗：147/48W
输入电容：1000PF
输入电容：110PF
反向传输电容：12PF
守旧提早时候：20nS
关断提早时候：80nS
回升时候：50ns
降落时候：70ns
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