7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-27
KIA7N60H功率MOSFET是利用KIA进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产的。这项进步前辈的手艺颠末出格定制，可最大限制地削减导通电阻，供给超卓的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲。这些器件很是合适高效开关情势电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，可以或许在高压利用中表现超卓；RDS（翻开）=1.0Ω @ VGS=10V，具备较低的导通电阻，可以或许有用降落功耗和进步效力；7n60场效应管具备超低的栅极电荷，典范值为27nC，和低反向转移电容，保证在疾速切换进程中可以或许不变任务；为了知足各种利用处景下的需要，7N60还颠末了雪崩能量测试和改良的dv/dt才能考证，确保其在高压、高频次前提下可以或许靠得住任务，并且还具备高耐用性，可以或许永劫间不变运转而不破坏，为体系的靠得住性供给了保证。
KIA7N60H场效应管的超卓机能，在开关电源和LED驱动范畴遭到普遍利用；其不变靠得住的特征，和优异的电气参数，是各种电路设想的抱负挑选，可以或许替换仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管停止利用；KIA7N60H封装情势： TO-263、262、220、220F多种封装挑选，便利装置利用。
漏源电压：600V
漏极电流：7.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：28A
雪崩能量单脉冲：215MJ
最大功耗：140/45W
输入电容：900PF
输入电容：100PF
反向传输电容：11.5PF
守旧提早时候：20nS
关断提早时候：75nS
回升时候：45ns
降落时候：70ns
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