6n60场效应管,6n60场效应管参数,4560A中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-23
正向电流：6A
反向耐压：600V
漏极和源极电压(VDSS)：600V
漏极和源极通态电阻(RDS(on))：1.2Ω
耗散功率(PD)：125W
KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的典范值）；具备TO-251、252封装情势可供挑选，便利装置利用。KND4560A可以或许替换士兰微、ST、华晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型号停止利用，是一款良好不变、性价比高的国产MOS管。
KND4560A接纳低栅极电荷最小化设想，可以或许疾速开关，保障电路的不变性；疾速规复体二极管，有用避免电压反向时的破坏，掩护全部电路体系。合适RoHS规范，具备良好的机能和靠得住性；可以或许有用降落开关消耗，进步电路效力。
漏源电压：600V
漏极电流：6A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：24A
雪崩能量单脉冲：250MJ
最大功耗：83W
输入电容：700PF
输入电容：75PF
反向传输电容：8PF
守旧提早时候：10nS
关断提早时候：32nS
回升时候：13ns
降落时候：16ns
KND4560A场效应管合用于适配器、充电器、SMPS备用电源等多种场所，普遍利用于电源办理、电子装备及产业节制等范畴。其机能不变靠得住，反映速率快，可以或许知足高效力、高频次等需要。玲珑的封装设想，使其在电路板上占有较小空间，有益于全体设想的松散性。优化的工艺手艺确保了其不变性和靠得住性，为各类电源办理利用供给了靠得住的处理计划。
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