4n60场效应管参数代换,开关电源适配器公用MOS管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-22
KIA4N60H N沟道加强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、机电驱动器、继电器驱动器。
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典范值为13.5nC）最小化开关消耗，高坚忍性，疾速切换才能，指定雪崩能量，改良的dv/dt才能，可以或许不变靠得住地任务，供给更高效的机能。KIA4N60H场效应管普遍利用于LED、开关电源、适配器等范畴，具备多种封装情势：TO-251、252、262、220、220F可供挑选，便利装置利用。
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
泄电留连续：4.0A
脉冲漏极电流：16A
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93/31/55W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：500PF
输入电容：45PF
回升时候：32ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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