30n50场效应管参数,代换,8150A场效应管30A 500V-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-21
漏源电压Vds：500V
栅源电压Vgs：±30V
持续漏极电流Id，Tc=25℃：30A
持续漏极电流Id，Tc=100℃：18A
功率消耗Pd：300W
导通电阻ID=15A,VGS=10V：Typ:160mΩ，Max 200mΩ
KNH8150A场效应管接纳高等平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典范值）@VGS=10V；具有低栅极电荷最小化开关消耗，可以或许不变靠得住地任务，加固多晶硅栅极布局，供给了更高效的机能表现。
KNH8150A场效应管普遍利用于开关电源、节制器、逆变器等范畴，很是不变靠得住，可以或许替换30n50型号场效应管停止利用，KNH8150A封装情势：TO-3P。
漏源电压：500V
漏极电流：30A
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：120A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
最大功耗：333W
输入电容：4152PF
输入电容：506PF
反向传输电容：85PF
守旧提早时候：35nS
关断提早时候：109nS
回升时候：116ns
降落时候：75ns
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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