15n50参数及代换,15n50场效应管参数,KNX6650A-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-20
耗散功率（PD）：48 W
漏极电流（ID）：15 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.35 Ω
KNX6650A沟道加强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
高压MOS管KNX6650A接纳专有立体新手艺，参数为500V 15A，RDS（ON），典范值=0.33Ω@VGS=10V，具备低栅电荷最小开关消耗、疾速规复体二极管等特征，可以或许替换仙童的15n50场效应管，机能出色、性价比高；出格合用于开关电源、LED驱动等范畴，能有用地节制电流和电压，保障电源的不变和靠得住性，KNX6650A封装情势：TO-220、TO-220F。
漏源极电压：500V
栅极到源极电压：±30V
持续泄电电流：15A
单脉冲雪崩能量：1000MJ
最大功耗：140/60W
漏源击穿电压：500V
漏源泄电流：100μA
输出电容：2148pF
反向规复时候：520ns
接洽体例：邹师长教师
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