MOS管操纵电路,MOS管驱动电路阐发-KIA MOS管

MOS管最明显的特征是开关特征好，以是被普遍操纵在须要电子开关的电路中，罕见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

1、高压操纵

当操纵5V电源，这时辰辰候若是操纵传统的图腾柱布局，因为三极管的be有0.7V摆布的压降，致使现实终究加在gate上的电压只要4.3V。这时辰辰候，咱们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在必然的危险。

一样的题目也发生在操纵3V或其余高压电源的场所。

2、宽电压操纵

输入电压并不是一个牢固值，它会跟着时辰或其余身分而变化。这个变化致使PWM电路供给给MOS管的驱动电压是不不变的。

为了让MOS管在高gate电压下宁静，良多MOS管内置了稳压管强行限定gate电压的幅值。在这类环境下，当供给的驱动电压跨越稳压管的电压，就会引发较大的静态功耗。

同时，若是简略的用电阻分压的道理下降gate电压，就会呈现输入电压比拟高的时辰，MOS督任务杰出，而输入电压下降的时辰gate电压缺乏，引发导通不够完全，从而增添功耗。

3、双电压操纵

在一些节制电路中，逻辑局部操纵典范的5V或3.3V数字电压，而功率局部操纵12V乃至更高的电压。两个电压接纳共地体例毗连。

这就提出一个请求，须要操纵一个电路，让高压侧能够或许有用的节制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也一样会晤对1和2中提到的题目。

在这三种环境下，图腾柱布局没法知足输入请求，而良多现成的MOS驱动IC，仿佛也不包罗gate电压限定的布局。

MOS管驱动电路

NMOS PMOS 驱动电路

针对NMOS驱动电路做一个简略阐发：

Vl和Vh别离是低端和高真个电源，两个电压能够或许是不异的，可是Vl不应当跨越Vh。

Q1和Q2构成了一个反置的图腾柱，用来完成断绝，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3供给了PWM电压基准，经由过程转变这个基准，能够或许让电路任务在PWM旌旗灯号波形比拟陡直的地位。

Q3和Q4用来供给驱动电流，因为导通的时辰，Q3和Q4绝对Vh和GND最低都只要一个Vce的压降，这个压降凡是只要0.3V摆布，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反应电阻，用于对gate电压停止采样，采样后的电压经由过程Q5对Q1和Q2的基极发生一个激烈的负反应，从而把gate电压限定在一个无限的数值。这个数值能够或许经由过程R5和R6来调理。

最初，R1供给了对Q3和Q4的基极电流限定，R4供给了对MOS管的gate电流限定，也便是Q3和Q4的Ice的限定。须要的时辰能够或许在R4下面并联加快电容。

这个电路供给了以下的特征：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM旌旗灯号驱动高gate电压须要的MOS管。

3，gate电压的峰值限定

4，输入和输入的电流限定

5，经由过程操纵适合的电阻，能够或许到达很低的功耗。

6，PWM旌旗灯号反相。NMOS并不须要这个特征，能够或许经由过程前置一个反相器来处理。

自举升压电路

自举升压电路的道理图如图所示。所谓的自举升压道理便是，在输入端IN输入一个方波旌旗灯号，操纵电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，如许就能够或许在B端输入一个与输入旌旗灯号反相，且高电平高于VDD的方波旌旗灯号。

当VIN为高电日常平凡，NMOS管N1导通，PMOS管P1停止，C点电位为低电平。同时N2导通，P2的栅极电位为低电平，则P2导通。这就使得此时A点电位约为VDD，电容Cboot两头电压UC≈VDD。因为N3导通，P4停止，以是B点的电位为低电平。这段时辰称为预充电周期。

当VIN变为低电日常平凡，NMOS管N1停止，PMOS管P1导通，C点电位为高电平，约为VDD。同时N2、N3停止，P3导通。这使得P2的栅极电位降低，P2停止。此时A点电位即是C点电位加上电容Cboot两头电压，约为2VDD。并且P4导通，是以B点输入高电平，且高于VDD。这段时辰称为自举升压周期。

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