13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-19
KIA13N50H是一款N沟道加强型硅栅功率MOSFET，专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
漏极至源极电压（VDSS）：500V
栅源电压（VGSS）：±30V
漏极电流 （持续）（lD）：13A
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.4Ω
耗散功率（PD）：195/48W
任务温度：±150℃
KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具备低栅极电荷（典范的45nc）、疾速切换的才能、雪崩能量、改良的dt／dt才能等特征，这款场效应管合用于电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、500W逆变器后级电路/开关电源等产物。
KIA13N50H场效应管封装情势有TO-220、TO-220、TO-263可供挑选利用，便利装置利用，13N50场效应管在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电掩护、机电节制器等范畴有普遍的利用。
漏源电压：500V
漏极电流：13A
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：860MJ
最大功耗：195/48W
输入电容：1600PF
输入电容：200PF
守旧提早时候：25nS
关断提早时候：130nS
回升时候：100ns
降落时候：100ns
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