9n50场效应管参数,代换,KIA4750S引脚图参数-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-02-18
漏源电压Vds：500V
栅源电压Vgs：±30V
延续漏极电流Id，Tc=25℃：8A
Rdson-max（@Vgs=10V）：0.8 Ω
Qg-typ：59 nC
功率消耗Pd：53W
KIA4750S场效应管具备不变靠得住的机能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时可以或许发生较低的电阻。这款场效应管还具备低栅电荷特征，可以或许最小化开关消耗。另外，它还装备了疾速规复体二极管，增强了其机能表现，KIA4750S封装情势：TO-252、TO-220，合适RoHS规范，合适情况友爱请求。
因为其出色的机能特色，KIA4750S场效应管普遍利用于适配器、充电器和smp备用电源等范畴。它可以或许坚持电压不变，使电器装备可以或许高效、不变地任务。不管是作为电源适配器，仍是用于充电器，KIA4750S场效应管都可以或许表现出优良的机能，知足各类需要。而在smp备用电源中的利用，它可以或许坚持电源的不变性，为装备供给延续靠得住的电力撑持。总而言之，KIA4750S场效应管以其出色的机能和普遍的利用范畴，成了现今电子装备中不可或缺的主要构成局部。
漏源电压：500V
栅源电压：±30A
泄电流延续：9.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：400mJ
耗散功率：120W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：960PF
输入电容：110PF
回升时候：17ns
接洽体例：邹师长教师
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